英语翻译

因此，标准折叠共源共栅放大器总的微分增益为：
(4)
一个MOS晶体管的gmro，以强烈的逆变随偏置电流的增加而增加【5】；因此，这一方程
弄清了，增益的增加可以靠减小M5中的偏置电流来实现。虽然对M1也是对的，但是gm1的改
变也会影响运算放大器的带宽，而M5中的改变则不会。
我们现在准备用图2所示的简化微分模型，来考虑性能改进的折叠共源共栅拓扑结构。首
先请注意，υc到输出的增益已经因反相电流镜的作用而加倍，即：
(5)

所以， 标准共发共基放大器的总的微分增益是：
『公式』
在强烈倒置中，一个MOS晶体管的g r随着栅流（偏流）的减小而增加，所以这题清楚指出，增益可以通过减小M5里的栅流来实现。尽管这对M1也一样，M1里的g的变化还可以通过影响带宽来实现，而M5不能。
我们现在可以通过图2所示的简化后的微分模型来考虑强化型共发共基放大器拓扑的收益。首先，注意通过颠倒电流反射镜从V到输出的收益增加了一倍，具体如下：
『公式』

由此，我们得出，标准折叠共源共栅放大器的总的微分增益为

在强大的反演下，MOS型晶体管的（那两个参数）随着偏置电流的降低而增加。这样，这个方程就使得下面这一点很清楚了：增加的增益可以通过降低M5中的偏置电流获得。虽然，M1也是这样的，但是gm1的改变也会影响到运放的带宽，M5的改变却不会影响到运放的带宽。

现在我们使用图2中显示的简化的微分模型来考虑增强的折叠共源共栅拓扑结构的增益。首先，我们注意到从V0到输出的增益已经因为在反相电流镜中的活动而加倍了，例如

全手工译的，不知你能否满意？